Nature.com ကိုလာရောက်လည်ပတ်တဲ့အတွက် ကျေးဇူးတင်ပါတယ်။သင်သည် အကန့်အသတ်ရှိသော CSS ပံ့ပိုးမှုဖြင့် ဘရောက်ဆာဗားရှင်းကို အသုံးပြုနေပါသည်။အကောင်းဆုံးအတွေ့အကြုံအတွက်၊ အပ်ဒိတ်လုပ်ထားသောဘရောက်ဆာ (သို့မဟုတ် Internet Explorer တွင် လိုက်ဖက်ညီသောမုဒ်ကိုပိတ်ပါ) ကိုအသုံးပြုရန် ကျွန်ုပ်တို့အကြံပြုအပ်ပါသည်။ထို့အပြင်၊ ဆက်လက်ပံ့ပိုးမှုသေချာစေရန်၊ ပုံစံများနှင့် JavaScript မပါဘဲ ဝဘ်ဆိုက်ကို ပြသပါသည်။
ဆလိုက် သုံးခုပါသော အဝိုင်းကို တစ်ပြိုင်နက် ပြသသည်။တစ်ကြိမ်လျှင် ဆလိုက်သုံးခုကို ရွှေ့ရန် ယခင်နှင့် နောက်ခလုတ်များကို အသုံးပြုပါ သို့မဟုတ် တစ်ကြိမ်လျှင် ဆလိုက်သုံးခုကို ရွှေ့ရန် အဆုံးရှိ ဆလိုက်ခလုတ်များကို အသုံးပြုပါ။
Stainless Steel 304 Coil Tube ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု
304 Stainless Steel Coil Tube သည် austenitic chromium-nickel alloy တစ်မျိုးဖြစ်သည်။Stainless Steel 304 Coil Tube ထုတ်လုပ်သူ၏ အဆိုအရ ၎င်းတွင် အဓိက အစိတ်အပိုင်းမှာ Cr (17%-19%) နှင့် Ni (8%-10.5%) ဖြစ်သည်။သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန်အတွက် Mn (2%) နှင့် Si (0.75%) အနည်းငယ်သာရှိပါသည်။
| တန်း | ခရိုမီယမ် | နီကယ် | ကာဗွန် | မဂ္ဂနီဆီယမ် | မိုလစ်ဘဒင်နမ် | ဆီလီကွန် | ဖော့စဖရပ် | ဆာလဖာ |
| ၃၀၄ | ၁၈ – ၂၀ | ၈ – ၁၁ | ၀.၀၈ | 2 | - | 1 | ၀.၀၄၅ | ၀.၀၃၀ |
Stainless Steel 304 Coil Tube စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
304 stainless steel coil tube ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
- ဆန့်နိုင်စွမ်းအား: ≥515MPa
- အထွက်နှုန်း: ≥205MPa
- ရှည်လျားမှု- ≥30%
| ပစ္စည်း | အပူချိန် | ဆန့်နိုင်အား | အထွက်နှုန်း | ရှည်လျားခြင်း။ |
| ၃၀၄ | ၁၉၀၀ | 75 | 30 | 35 |
Stainless Steel 304 Coil Tube ၏ အသုံးပြုပုံများနှင့် အသုံးပြုမှုများ
vanadium redox flow batteries (VRFBs) ၏အတော်လေးမြင့်မားသောကုန်ကျစရိတ်သည် ၎င်းတို့၏ ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုမှုကို ကန့်သတ်ထားသည်။VRFB ၏ ပါဝါသိပ်သည်းဆနှင့် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် လျှပ်စစ်ဓာတုတုံ့ပြန်မှု၏ kinetics ကို မြှင့်တင်ရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် VRFB ၏ kWh ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချနိုင်မည်ဖြစ်သည်။ဤလုပ်ငန်းတွင်၊ Hydrothermally synthesized hydrated tungsten oxide (HWO) nanoparticles, C76 နှင့် C76/HWO တို့သည် carbon cloth electrodes များပေါ်တွင် အပ်နှံပြီး VO2+/VO2+ redox တုံ့ပြန်မှုအတွက် electrocatalysts အဖြစ် စမ်းသပ်ခဲ့သည်။Field emission scanning electron microscopy (FESEM)၊ energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX)၊ high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM)၊ X-ray diffraction (XRD)၊ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)၊ infrared Fourier Spectroscopy (FTIR) နှင့် အဆက်အသွယ်ထောင့် တိုင်းတာမှုများကို ပြောင်းလဲပါ။C76 fullerene ကို HWO သို့ထပ်ပေါင်းထည့်ခြင်းသည် VO2+/VO2+ redox တုံ့ပြန်မှုနှင့်ပတ်သက်၍ လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ kinetics ကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး ၎င်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်သော လုပ်ငန်းဆောင်တာအုပ်စုများကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် တွေ့ရှိထားသည်။HWO/C76 ပေါင်းစပ် (50 wt% C76) သည် ΔEp ၏ 176 mV နှင့် VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုအတွက် အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်ကြောင်း သက်သေပြခဲ့ပြီး မကုသရသေးသော ကာဗွန်အထည် (UCC) အတွက် 365 mV ဖြစ်သည်။ထို့အပြင်၊ HWO/C76 ပေါင်းစပ်မှုသည် W-OH လုပ်ဆောင်ချက်အုပ်စုများကြောင့် ကပ်ပါးကလိုရင်းဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်တုံ့ပြန်မှုကို သိသာထင်ရှားစွာ ဟန့်တားကြောင်းပြသခဲ့သည်။
ပြင်းထန်သော လူသားတို့၏ လှုပ်ရှားမှုနှင့် လျင်မြန်သော စက်မှုတော်လှန်ရေးသည် တစ်နှစ်လျှင် ၃ ရာခိုင်နှုန်းခန့် ကြီးထွားနေသည့် လျှပ်စစ်ဓာတ်အား လိုအပ်ချက်ကို အဆက်မပြတ် မြင့်မားလာစေခဲ့သည်။စွမ်းအင်ရင်းမြစ်အဖြစ် ရုပ်ကြွင်းလောင်စာများကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုခြင်းသည် ဖန်လုံအိမ်ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ကမ္ဘာကြီးပူနွေးလာမှု၊ ရေနှင့် လေထုညစ်ညမ်းမှုတို့ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဂေဟစနစ်တစ်ခုလုံးကို ခြိမ်းခြောက်လျက်ရှိသည်။ရလဒ်အနေဖြင့် 2050 ခုနှစ်တွင် သန့်ရှင်းသော ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင် မျှဝေမှုသည် စုစုပေါင်းလျှပ်စစ်ဓာတ်အားစုစုပေါင်း၏ 75% သို့ရောက်ရှိရန် ခန့်မှန်းထားသည်။သို့သော် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုသည် စုစုပေါင်းလျှပ်စစ်ဓာတ်အားထုတ်လုပ်မှု၏ 20% ထက်ကျော်လွန်သောအခါ၊ လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလိုင်း မတည်မငြိမ်ဖြစ်လာသည်။ 1. ထိရောက်သောစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် ပိုလျှံနေသောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားကို သိုလှောင်ရန်နှင့် ထောက်ပံ့မှုနှင့် ဝယ်လိုအားကို ဟန်ချက်ညီစေရမည်ဖြစ်သောကြောင့် ဤအကူးအပြောင်းအတွက် အရေးကြီးပါသည်။
hybrid vanadium redox flow batteries2 ကဲ့သို့သော စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များအားလုံးတွင်၊ vanadium redox flow batteries (VRFBs) အားလုံးသည် ၎င်းတို့၏ အားသာချက်များစွာကြောင့် အဆင့်မြင့်ဆုံးဖြစ်ပြီး ရေရှည်စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု (~30 နှစ်) အတွက် အကောင်းဆုံးဖြေရှင်းချက်အဖြစ် သတ်မှတ်ခံရပါသည်။ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်အရင်းအမြစ်များကို အသုံးပြုခြင်း ၄။စွမ်းအင်နှင့် စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆ၊ လျင်မြန်စွာတုံ့ပြန်မှု၊ တာရှည်ခံမှုနှင့် Li-ion နှင့် lead-acid ဘက်ထရီများအတွက် $93-140/kWh နှင့် 279-420 USD/kWh တို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက နှစ်စဉ်ကုန်ကျစရိတ် $65/kWh နည်းပါးသောကြောင့်ဖြစ်သည်။/kWh ဘက်ထရီ အသီးသီး ၄။
သို့သော်လည်း ၎င်းတို့၏ ကျယ်ပြန့်သော ကူးသန်းရောင်းဝယ်ရေး လုပ်ငန်းသည် အဓိကအားဖြင့် ဘက်ထရီ ပက်ကေ့4,5 ကြောင့် အတော်လေးမြင့်မားသော စနစ်အရင်းအနှီးကုန်ကျစရိတ်များကြောင့် အဟန့်အတားဖြစ်နေပါသည်။ထို့ကြောင့်၊ ဆဲလ်တစ်ဝက်ဆဲလ်တုံ့ပြန်မှုနှစ်ခု၏ kinetics ကိုတိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် ဘက်ထရီစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ခြင်းဖြင့် ဘက်ထရီအရွယ်အစားကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။ထို့ကြောင့်၊ ဂရုတစိုက်ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ထားရမည့် electrode ၏ဒီဇိုင်း၊ ဖွဲ့စည်းမှုနှင့်ဖွဲ့စည်းပုံပေါ် မူတည်၍ electrode မျက်နှာပြင်သို့အမြန်အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းရန်လိုအပ်သည်။ကာဗွန်အခြေခံလျှပ်ကူးပစ္စည်းများတွင် ကောင်းမွန်သော ဓာတုနှင့် လျှပ်စစ်ဓာတ် တည်ငြိမ်မှုနှင့် လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်မှု ကောင်းမွန်သော်လည်း၊ မကုသဘဲထားပါက အောက်ဆီဂျင်လုပ်ဆောင်နိုင်သော အုပ်စုများနှင့် ရေအားလျှပ်စစ်ဓာတ်များ မရှိခြင်းကြောင့် ၎င်းတို့၏ kinetics နှေးကွေးသွားမည်ဖြစ်သည်။ထို့ကြောင့်၊ အမျိုးမျိုးသော electrocatalysts များကို carbon electrode များ အထူးသဖြင့် carbon nanostructures နှင့် metal oxides များနှင့် ပေါင်းစပ်ထားပြီး electrodes နှစ်ခုလုံး၏ kinetics ကို တိုးတက်စေကာ VRFB electrodes ၏ kinetics ကို တိုးမြင့်စေပါသည်။
ကာဗွန်စက္ကူ ၉၊ ကာဗွန်နာနိုပိုက် ၁၀၊၁၁၊၁၂၊၁၃၊ ဂရပ်ဖင်းအခြေခံ နာနိုဖွဲ့စည်းပုံ ၁၄၊၁၅၊၁၆၊၁၇၊ ကာဗွန်နာနိုဖိုင်ဘာ ၁၈ နှင့် အခြား ၁၉၊၂၀၊၂၁၊၂၂၊၂၃ ကဲ့သို့သော ကာဗွန်ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုထားပြီး၊ .ကျွန်ုပ်တို့၏ယခင်လေ့လာမှုတွင် C76 တွင် VO2+/VO2+ သို့ အပူပေးထားသော နှင့် မကုသရသေးသော ကာဗွန်အထည်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဤ fullerene ၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော electrocatalytic လုပ်ဆောင်ချက်ကို ပထမဆုံးအကြိမ် အစီရင်ခံတင်ပြခဲ့ရာတွင် အားသွင်းကူးပြောင်းမှု ခံနိုင်ရည်မှာ 99.5% နှင့် 97% 24 ဖြစ်သည်။C76 နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုအတွက် ကာဗွန်ပစ္စည်းများ၏ ဓာတ်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဇယား S1 တွင် ပြထားသည်။အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ CeO225, ZrO226, MoO327, NiO28, SnO229, Cr2O330 နှင့် WO331, 32, 33, 34, 35, 35, 36, 37, 38 ကဲ့သို့သော သတ္တုအောက်ဆိုဒ်များစွာကို ၎င်းတို့၏ စိုစွတ်မှုနှင့် အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှု မြင့်မားသောကြောင့် အသုံးပြုသည်။အဖွဲ့များ။Table S2 သည် VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုတွင် ဤသတ္တုအောက်ဆိုဒ်များ၏ ဓာတ်ပြုလုပ်ဆောင်ချက်ကို ပြသသည်။WO3 ကို ၎င်း၏ ကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးခြင်း၊ အက်စစ်ဓာတ် တည်ငြိမ်မှု မြင့်မားခြင်း၊ နှင့် မြင့်မားသော ဓာတ်ပြု လုပ်ဆောင်ချက် 31,32,33,34,35,36,37,38 တို့ကြောင့် WO3 ကို သိသိသာသာ အလုပ်များတွင် အသုံးပြုခဲ့သည်။သို့သော် WO3 သည် cathode kinetics တွင် အနည်းငယ်တိုးတက်မှုကို ပြသခဲ့သည်။WO3 ၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ရန်၊ အပြုသဘောဆောင်သော လျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ဆောင်ချက်အပေါ် လျှော့ချထားသော တန်စတင်အောက်ဆိုဒ် (W18O49) ကို အသုံးပြုခြင်း၏ သက်ရောက်မှု ၃၈ ကို စမ်းသပ်ခဲ့သည်။Hydrated tungsten oxide (HWO) ကို VRFB အပလီကေးရှင်းများတွင် ဘယ်သောအခါမှ မစမ်းသပ်ဖူးသော်လည်း၊ ၎င်းသည် anhydrous WOx39,40 နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက cation diffusion ပိုမိုမြန်ဆန်သောကြောင့် supercapacitor applications များတွင် ပိုမိုလုပ်ဆောင်မှုကို ပြသထားသည်။တတိယမျိုးဆက် all-vanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီသည် ဘက်ထရီစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် အီလက်ထရွန်းတွင် vanadium အိုင်းယွန်းများ၏ ပျော်ဝင်မှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန် HCl နှင့် H2SO4 ပေါင်းစပ်ထားသော အက်ဆစ်ဓာတ်ကို အသုံးပြုသည်။သို့သော်၊ ကပ်ပါးကလိုရင်းဆင့်ကဲတုံ့ပြန်မှုသည် တတိယမျိုးဆက်၏ အားနည်းချက်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာသောကြောင့် ကလိုရင်းအကဲဖြတ်တုံ့ပြန်မှုကို ဖိနှိပ်ရန် နည်းလမ်းရှာဖွေခြင်းသည် သုတေသနအဖွဲ့များစွာ၏ တာဝန်ဖြစ်လာသည်။
ဤတွင်၊ VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုစမ်းသပ်မှုများကို HWO/C76 ပေါင်းစပ်ထားသော ကာဗွန်အထည်လျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်တွင် အပ်နှံထားသည့် ကွန်ပေါင်းများ၏လျှပ်စစ်စီးကူးမှုနှင့် ကပ်ပါးကလိုရင်းတို့၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ redox တုံ့ပြန်မှု kinetics အကြား ဟန်ချက်ညီမှုကို ရှာတွေ့နိုင်ရန် ပြုလုပ်ခဲ့သည်။တုံ့ပြန်မှု (KVR)။ရေဓာတ်ပါသော တန်စတင်အောက်ဆိုဒ် (HWO) နာနိုအမှုန်များကို ရိုးရှင်းသော ဟိုက်ဒရိုအပူနည်းဖြင့် ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။အဆင်ပြေစေရန်အတွက် တတိယမျိုးဆက် VRFB (G3) ကို အတုယူရန်နှင့် ကပ်ပါးကလိုရင်းဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်တုံ့ပြန်မှုအပေါ် HWO ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို စုံစမ်းစစ်ဆေးရန် ရောစပ်အက်ဆစ်အီလက်ထရိုလစ် (H2SO4/HCl) တွင် စမ်းသပ်မှုများကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။
Vanadium(IV) sulfate oxide hydrate (VOSO4, 99.9%, Alfa-Aeser), sulfuric acid (H2SO4), hydrochloric acid (HCl), dimethylformamide (DMF, Sigma-Aldrich), polyvinylidene ဖလိုရိုက် (PVDF, Sigma-Aldrich), ဆိုဒီယမ်၊ Tungsten oxide dihydrate (Na2WO4, 99%, Sigma-Aldrich) နှင့် hydrophilic carbon cloth ELAT (Fuel Cell Store) ကို ဤလေ့လာမှုတွင် အသုံးပြုခဲ့သည်။
အစိုဓာတ်ရှိသော တန်စတင်အောက်ဆိုဒ် (HWO) ကို အရောင်ကင်းသောဖြေရှင်းချက်ရရှိသည်အထိ Na2WO4 ဆား 2 ဂရမ်ကို HO 12 မီလီလီတာတွင် ပျော်ဝင်စေသည့် hydrothermal တုံ့ပြန်မှုဖြင့် ပြင်ဆင်ထားကာ အရောင်ကင်းစင်သောဖြေရှင်းချက်တစ်ခုရရှိပြီးနောက် 2 M HCl ၏ 12 ml ကို အဝါရောင်အဖျော့ဖျော့ဖျော့ဖျော့ဖျော့အထိ ပေါင်းထည့်ခဲ့သည်။ ရရှိခဲ့သည်။ရပ်ဆိုင်းမှု။Hydrothermal တုံ့ပြန်မှုကို 180 ºC တွင် 3 နာရီကြာ မီးဖိုတွင် Teflon coated stainless steel autoclave ဖြင့်ပြုလုပ်သည်။အကြွင်းအကျန်များကို စစ်ထုတ်ခြင်းဖြင့် စုဆောင်းကာ အီသနောနှင့် ရေဖြင့် ၃ ကြိမ် ဆေးကြောကာ 70°C တွင် ~ 3 နာရီကြာ အခြောက်ခံကာ မီးခိုးပြာ HWO အမှုန့်ရရှိရန် မြေမှုန့်ကို ကြိတ်ချေပါ။
ရရှိသော (မကုသရသေးသော) ကာဗွန်အထည်လျှပ်ကူးပစ္စည်း (CCTs) များကို ၎င်းတို့ရရှိသော သို့မဟုတ် ကုသမှုခံယူရန် လေထုထဲတွင် 15°C/min အပူချိန် 10 နာရီကြာ အပူချိန် 450°C တွင် ပြွန်မီးဖိုတွင် 10 နာရီကြာ အပူပေးသည့်ပုံစံဖြင့် အသုံးပြုခဲ့သည်။ ကုသထားသော UCC (TCC) ကိုရယူရန် ယခင်လုပ်ငန်းခွင် 24 နှင့် အတူတူပင်ဖြစ်ပါသည်။ UCC နှင့် TCC ကို ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 1.5 cm အကျယ်နှင့် 7 cm ရှည်သော လျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် ဖြတ်တောက်ထားပါသည်။C76၊ HWO၊ HWO-10% C76၊ HWO-30% C76 နှင့် HWO-50% C76 ၏ ဆိုင်းငံ့မှုများကို တက်ကြွသောပစ္စည်းမှုန့် 20 mg နှင့် PVDF binder ၏ 10 wt% (~2.22 mg) မှ ~1 ml သို့ ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် ပြင်ဆင်ခဲ့သည် DMF သည် တူညီမှုကို မြှင့်တင်ရန် 1 နာရီကြာ sonicated လုပ်ထားသည်။ထို့နောက် C76၊ HWO နှင့် HWO-C76 ပေါင်းစပ်ထားသော 2 mg ကို UCC တက်ကြွလျှပ်ကူးပစ္စည်းဧရိယာ၏ ခန့်မှန်းခြေ 1.5 cm2 သို့ သက်ရောက်သည်။ဓါတ်ကူပစ္စည်းအားလုံးကို UCC လျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်တွင် တင်ဆောင်ထားပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏ယခင်အလုပ်က အပူကုသမှု မလိုအပ်ကြောင်း ပြသထားသောကြောင့် TCC ကို နှိုင်းယှဉ်ခြင်းအတွက်သာ အသုံးပြုခဲ့သည်။ပိုမိုတူညီမှုရှိရန်အတွက် ဆိုင်းထိန်း၏ 100 µl (Load 2 mg) ကို ဖြီးခြင်းဖြင့် စွဲမက်ဖွယ်ဖြေရှင်းမှုကို ရရှိသည်။ထို့နောက် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအားလုံးကို 60°C ဖြင့် မီးဖိုတွင် တစ်ညလုံး အခြောက်ခံပါ။တိကျသောစတော့တင်ခြင်းအား သေချာစေရန် လျှပ်ကူးပစ္စည်းများအား တိကျစွာ မတင်ဆောင်မီနှင့် အပြီးတွင် တိုင်းတာပါသည်။အချို့သော ဂျီဩမေတြီဧရိယာ (~1.5 cm2) ရှိရန်နှင့် သွေးကြောမျှင်များ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့် vanadium electrolyte လျှပ်ကူးပစ္စည်းသို့ တက်လာခြင်းကို ကာကွယ်ရန်အတွက်၊ တက်ကြွသောပစ္စည်းအပေါ်တွင် paraffin အလွှာပါးကို လိမ်းထားသည်။
HWO မျက်နှာပြင်ပုံသဏ္ဍာန်ကို စောင့်ကြည့်လေ့လာရန် FESEM၊ Zeiss SEM Ultra 60.5 kV (FESEM၊ Zeiss SEM Ultra 60.5 kV) ကို အသုံးပြုထားသည်။UCC လျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်ရှိ HWO-50%C76 ဒြပ်စင်များကို မြေပုံကြည့်ရန် Feii8SEM (EDX, Zeiss AG) ပါ၀င်သော စွမ်းအင်ပျံ့လွင့်သော X-ray spectroscopy ကို အသုံးပြုခဲ့သည်။200 kV အရှိန်မြှင့်ဗို့အားတွင် လည်ပတ်နေသော မြင့်မားသော ကြည်လင်ပြတ်သားသော ထုတ်လွှင့်မှု အီလက်ထရွန် အဏုစကုပ် (HR-TEM၊ JOEL JEM-2100) ကို HWO အမှုန်များ၏ ကြည်လင်ပြတ်သားသော ရုပ်ပုံများနှင့် ကွဲလွဲကွဲပြားသည့် အဝိုင်းများရရှိရန် အသုံးပြုခဲ့သည်။ringGUI လုပ်ဆောင်ချက်ကို အသုံးပြု၍ ရလဒ်များကို XRD မော်ဒယ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ရန် Crystallographic Tool Box (CrysTBox) ဆော့ဖ်ဝဲကို အသုံးပြုပါ။UCC နှင့် TCC ၏ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် graphitization ကို Panalytical X-ray diffractometer ဖြင့် Cu Kα (λ = 1.54060 Å) ဖြင့် စကင်န်ဖတ်နှုန်း 2.4°/min မှ 2.4°/min ဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။(မော်ဒယ် ၃၆၀၀)။XRD သည် HWO ၏ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အဆင့်များကို ပြသသည်။PANalytical X'Pert HighScore ဆော့ဖ်ဝဲလ်ကို HWO တောင်ထိပ်များကို database45 တွင်ရရှိနိုင်သော tungsten oxide မြေပုံများနှင့် ကိုက်ညီရန် အသုံးပြုခဲ့သည်။HWO ရလဒ်များကို TEM ရလဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါ။HWO နမူနာများ၏ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုနှင့် အခြေအနေတို့ကို X-ray photoelectron spectroscopy (XPS၊ ESCALAB 250Xi၊ ThermoScientific) ဖြင့် ဆုံးဖြတ်ခဲ့သည်။CASA-XPS ဆော့ဖ်ဝဲလ် (v 2.3.15) ကို အထွတ်အထိပ်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် ဒေတာခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းအတွက် အသုံးပြုခဲ့သည်။HWO နှင့် HWO-50%C76 ၏ မျက်နှာပြင်လုပ်ဆောင်မှုအုပ်စုများကို ဆုံးဖြတ်ရန်အတွက် Fourier အသွင်ပြောင်းအနီအောက်ရောင်ခြည်ရောင်စဉ် (FTIR၊ Perkin Elmer အတန်းအစား KBr FTIR spectrometer) ကို အသုံးပြု၍ တိုင်းတာမှုများ ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ရလဒ်များကို XPS ရလဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါ။လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ စိုစွတ်မှုကို သတ်မှတ်ရန် အဆက်အသွယ်ထောင့် တိုင်းတာခြင်း (KRUSS DSA25) ကိုလည်း အသုံးပြုခဲ့သည်။
လျှပ်စစ်ဓာတုတိုင်းတာမှုအားလုံးအတွက် Biologic SP 300 အလုပ်ရုံတစ်ခုကို အသုံးပြုခဲ့သည်။Cyclic voltammetry (CV) နှင့် electrochemical impedance spectroscopy (EIS) ကို VO2+/VO2+ redox တုံ့ပြန်မှု၏ electrode kinetics နှင့် တုံ့ပြန်မှုနှုန်းအပေါ် reagent diffusion (VOSO4 (VO2+)) ကို လေ့လာရန် အသုံးပြုခဲ့သည်။နည်းပညာနှစ်ခုစလုံးသည် 1 M H2SO4 + 1 M HCl (ရောစပ်အက်ဆစ်) တွင် ပျော်ဝင်သော 0.1 M VOSO4 (V4+) ရှိသော electrolyte အာရုံစူးစိုက်မှုရှိသော electrode ဆဲလ်သုံးခုကို အသုံးပြုသည်။တင်ပြထားသည့် လျှပ်စစ်ဓာတုအချက်အလက်အားလုံးသည် IR ဖြင့် ပြုပြင်ထားသည်။saturated calomel electrode (SCE) နှင့် platinum (Pt) coil ကို ရည်ညွှန်းချက်နှင့် counter electrode အဖြစ် အသီးသီး အသုံးပြုခဲ့ကြသည်။CV အတွက်၊ 5၊ 20၊ နှင့် 50 mV/s ၏ စကင်န်နှုန်း (ν) ကို VO2+/VO2+ အတွက် SCE နှင့် နှိုင်းယှဉ်ကာ ဖြစ်နိုင်သောဝင်းဒိုး (0–1) V သို့ သက်ရောက်ပြီး (VSCE = 0.242) V သည် HSE နှင့် သက်ဆိုင်သည်)။လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ လုပ်ဆောင်ချက်ကို ထိန်းထားနိုင်မှုကို စုံစမ်းစစ်ဆေးရန်အတွက် UCC၊ TCC၊ UCC-C76၊ UCC-HWO နှင့် UCC-HWO-50% C76 တွင် ν နှင့် ညီမျှသော 5 mV/s တွင် CV ကို ပြန်လည်အသုံးပြုခဲ့သည်။VO2+/VO2+ redox တုံ့ပြန်မှုအတွက် EIS တိုင်းတာမှုများအတွက်၊ ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး 0.01-105 Hz နှင့် open circuit voltage (OCV) နှောင့်ယှက်မှု 10 mV ကို အသုံးပြုခဲ့သည်။စမ်းသပ်မှုတစ်ခုစီသည် ရလဒ်များ၏ ညီညွတ်မှုကို သေချာစေရန် ၂-၃ ကြိမ် ထပ်ခါတလဲလဲ ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ကွဲပြားသော ကိန်းသေနှုန်း (k0) ကို Nicholson နည်းလမ်း 46,47 ဖြင့် ရယူခဲ့သည်။
ဟိုက်ဒရိုအပူရှိန်နည်းဖြင့် ရေဓာတ်ပါ၀င်သော တန်စတင်အောက်ဆိုဒ် (HVO) ကို အောင်မြင်စွာ ပေါင်းစပ်ထားပါသည်။ပုံတွင် SEM ပုံ။1a သည် စုဆောင်းထားသော HWO တွင် 25-50 nm အကွာအဝေးအတွင်း အမှုန်အရွယ်အစားရှိသော နာနိုအမှုန်အစုအဝေးများ ပါဝင်ကြောင်း ပြသသည်။
HWO ၏ X-ray diffraction pattern သည် peak (001) နှင့် (002) တွင် ~23.5° နှင့် ~47.5° အသီးသီးရှိကြပြီး nonstoichiometric WO2.63 (W32O84) (PDF 077–0810, a = 21.4 Å၊ b = 17.8 Å, c = 3.8 Å, α = β = γ = 90°)၊ ၎င်းသည် ၎င်း၏ထင်ရှားသော အပြာရောင်အရောင် (ပုံ။ 1b) 48,49 ဖြစ်သည်။ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 20.5°၊ 27.1°၊ 28.1°၊ 30.8°၊ 35.7°၊ 36.7° နှင့် 52.7° တွင် (140), (620), (350), (720), (740), (560)။နှင့် (970) diffraction planes အသီးသီး၊ 49 orthorhombic WO2.63။Songara et al ။43 သည် WO3(H2O)0.333 ပါဝင်ခြင်းကြောင့်ဟု ယူဆထားသည့် အဖြူရောင်ထုတ်ကုန်တစ်ခုရရှိရန် တူညီသောပေါင်းစပ်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုခဲ့သည်။သို့ရာတွင်၊ ဤလုပ်ငန်းတွင် မတူညီသောအခြေအနေများကြောင့်၊ မီးခိုးပြာရောင်ထုတ်ကုန်တစ်ခုရရှိပြီး WO3(H2O)0.333 (PDF 087-1203၊ a = 7.3 Å၊ b = 12.5 Å၊ c = 7.7) တွင် Å၊ , α = β = γ = 90°) နှင့် အဖြိုက်စတင်အောက်ဆိုဒ်၏ လျော့ကျမှုပုံစံ။X'Pert HighScore ဆော့ဖ်ဝဲလ်ဖြင့် တစ်ပိုင်းတစ်ပိုင်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းဖြင့် 26% WO3(H2O)0.333: 74% W32O84 ကို ပြသခဲ့သည်။W32O84 တွင် W6+ နှင့် W4+ (1.67:1 W6+:W4+) ဖြစ်သောကြောင့် W6+ နှင့် W4+ ၏ ခန့်မှန်းအကြောင်းအရာသည် 72% W6+ နှင့် 28% W4+ အသီးသီးဖြစ်သည်။SEM ပုံများ၊ နျူကလိယအဆင့်ရှိ 1 စက္ကန့် XPS ရောင်စဉ်၊ TEM ပုံများ၊ FTIR ရောင်စဉ်နှင့် C76 အမှုန်များ၏ Raman ရောင်စဉ်တို့ကို ကျွန်ုပ်တို့၏ယခင်စာရွက် 24 တွင် တင်ပြထားပါသည်။Kawada et al.50,51 အရ C76 ၏ X-ray diffraction ပုံစံသည် toluene ကိုဖယ်ရှားပြီးနောက် FCC ၏ monoclinic တည်ဆောက်ပုံကိုပြသသည်။
ပုံတွင် SEM ပုံများ။2a နှင့် b သည် UCC လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ ကာဗွန်ဖိုင်ဘာများပေါ်တွင် HWO နှင့် HWO-50%C76 ၏ အောင်မြင်သော အစစ်ခံမှုကို ပြသသည်။ပုံ 2c ရှိ SEM ပုံရှိ တန်စတင်၊ ကာဗွန်နှင့် အောက်ဆီဂျင်တို့၏ ဒြပ်စင်မြေပုံကို ပုံတွင် ပြထားသည်။2d–f သည် လျှပ်ကူးပစ္စည်း မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ tungsten နှင့် ကာဗွန်များကို ညီတူညီမျှ ရောစပ်နေသည် (အလားတူ ဖြန့်ဖြူးမှုကို ပြသသည်) နှင့် ပေါင်းစပ်ပါဝင်မှုကို အညီအမျှ မထားရှိကြောင်း ပြသခြင်း။မိုးရွာသည့်နည်းလမ်း၏ သဘောသဘာဝကြောင့်ဖြစ်သည်။
အပ်နှံထားသော HWO အမှုန်များ (a) နှင့် HWO-C76 အမှုန်များ (ခ) တို့၏ SEM ပုံများ။ပုံ (ဂ) ရှိ ဧရိယာကို အသုံးပြု၍ UCC တွင် HWO-C76 သို့ အပ်လုဒ်လုပ်ထားသည့် EDX မြေပုံဆွဲခြင်းသည် နမူနာတွင် tungsten (ဃ)၊ ကာဗွန် (e) နှင့် အောက်ဆီဂျင် (f) တို့၏ ဖြန့်ဖြူးမှုကို ပြသသည်။
HR-TEM ကို မြင့်မားသော ချဲ့ထွင်မှုပုံရိပ်ဖော်ခြင်း နှင့် ပုံဆောင်ခဲဆိုင်ရာ အချက်အလက်များအတွက် အသုံးပြုခဲ့သည် (ပုံ 3)။HWO သည် ပုံ 3a တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း nanocube morphology ကိုသရုပ်ပြပြီး ပုံ 3b တွင်ပိုမိုရှင်းလင်းသည်။ရွေးချယ်ထားသောဧရိယာ၏အကွေ့အပြောင်းအတွက် nanocube ကို ချဲ့ခြင်းဖြင့်၊ Bragg ၏ဥပဒေအား ကျေနပ်စေမည့် ဆန်ခါဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ကွဲထွက်နေသောလေယာဉ်များကို ပုံ 3c တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ရုပ်ထွက်မြင်နိုင်ပြီး ပစ္စည်း၏ပုံဆောင်ခဲကိုအတည်ပြုသည်။ပုံ 3c ၏ inset တွင် WO3(H2O)0.333 နှင့် W32O84, 43, 44, 49 အဆင့်များရှိ (022) နှင့် (620) diffraction planes များနှင့် သက်ဆိုင်သော အကွာအဝေးကို ပြသသည်။လေ့လာထားသော ဆန်ခါတင်လေယာဉ်အကွာအဝေး d (ပုံ 3c) သည် HWO နမူနာရှိ အပြင်းထန်ဆုံး XRD အထွတ်အထိပ်နှင့် ကိုက်ညီသောကြောင့် ၎င်းသည် အထက်ဖော်ပြပါ XRD ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု (ပုံ။ 1b) နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။နမူနာကွင်းများကို သင်္ဘောသဖန်းတွင် ပြသထားသည်။လက်စွပ်တစ်ခုစီသည် သီးခြားလေယာဉ်နှင့် သက်ဆိုင်သည့် 3d။WO3(H2O)0.333 နှင့် W32O84 လေယာဉ်များသည် အဖြူရောင်နှင့် အပြာရောင် အသီးသီးရှိပြီး ၎င်းတို့၏ သက်ဆိုင်ရာ XRD တောင်ထိပ်များကို ပုံ 1b တွင် ပြသထားသည်။လက်စွပ်ပုံစံတွင် ပြသထားသည့် ပထမဆုံးလက်စွပ်သည် (022) သို့မဟုတ် (620) ကွဲပြားသော လမ်းကြောင်းပြောင်းလေယာဉ်၏ ဓာတ်မှန်ပုံစံတွင် ပထမဆုံး အမှတ်အသားပြုထားသည့် အထွတ်အထိပ်နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။(022) မှ (402) ကွင်းများ၊ d-အကွာအဝေး 3.30၊ 3.17၊ 2.38၊ 1.93 နှင့် 1.69 Å တို့ကို တွေ့ရှိခဲ့ပြီး XRD တန်ဖိုးများ 3.30၊ 3.17၊ 2 .45၊ 1.63 နှင့် 1.63။ နှင့် 1.63။Å, 44, 45, အသီးသီး။
(က) HWO ၏ HR-TEM ရုပ်ပုံ၊ (ခ) ချဲ့ထားသော ပုံကို ပြသည်။ဆန်ခါလေယာဉ်များ၏ပုံများကို (ဂ) တွင်ပြသထားပြီး inset (c) သည် လေယာဉ်များ၏ အကျယ်အဝန်းပုံနှင့် (002) နှင့် (620) လေယာဉ်များနှင့် သက်ဆိုင်သည့် ကြားကာလ d 0.33 nm ကိုပြသထားသည်။(ဃ) WO3(H2O)0.333 (အဖြူ) နှင့် W32O84 (အပြာ) အဆင့်များနှင့် ဆက်စပ်နေသော လေယာဉ်များကို ပြသသည့် HWO လက်စွပ်ပုံစံ။
မျက်နှာပြင်ဓာတုဗေဒနှင့် ဓာတ်တိုးခြင်းအခြေအနေကို ဆုံးဖြတ်ရန် XPS ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကို လုပ်ဆောင်ခဲ့သည် (ပုံ S1 နှင့် 4)။ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ထားသော HWO ၏ကျယ်ပြန့်သော XPS စကန်ဖတ်ခြင်း၏ spectrum ကို ပုံတွင်ပြထားသည်။S1 သည် အဖြိုက်နက် ပါဝင်မှုကို ညွှန်ပြသည်။ပင်မ W 4f နှင့် O 1s အဆင့်များ၏ ကျဉ်းမြောင်းသောစကန်ဖတ်ခြင်းဆိုင်ရာ XPS ကို ပုံများတွင် ပြထားသည်။4a နှင့် b အသီးသီးရှိသည်။W 4f ရောင်စဉ်ကို လည်ပတ်နေသောပတ်လမ်းနှစ်ထပ်နှစ်ခုအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသော ဓာတ်တိုးအခြေအနေ W ၏ ပေါင်းစပ်စွမ်းအင်နှင့် သက်ဆိုင်သော လှည့်ပတ်-ပတ်လမ်းနှစ်ခုအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသည်။ အမြင့်ဆုံး W 4f5/2 နှင့် W 4f7/2 ၏ 37.8 နှင့် 35.6 eV တို့သည် W6+ နှင့် သက်ဆိုင်ပြီး၊ အမြင့်ဆုံး W 36.6 နှင့် 34.9 eV တွင် 4f5/2 နှင့် W 4f7/2 တို့သည် W4+ ပြည်နယ်၏ လက္ခဏာများ အသီးသီးဖြစ်သည်။ဓာတ်တိုးမှုအခြေအနေ (W4+) ၏ပါဝင်မှုသည် WO3(H2O) 0.333 ကြောင့်မဟုတ်သော stoichiometric WO2.63 ၏ဖွဲ့စည်းခြင်းကို ထပ်မံအတည်ပြုပေးသည်၊တပ်ဆင်ထားသော အချက်အလက်များတွင် W6+ နှင့် W4+ ၏ အက်တမ်ရာခိုင်နှုန်းများသည် 85% နှင့် 15% အသီးသီးရှိကြပြီး နည်းပညာနှစ်ခုကြားကွာခြားချက်ကြောင့် XRD ဒေတာမှ ခန့်မှန်းတန်ဖိုးများနှင့် အတော်လေးနီးစပ်ကြောင်း ပြသခဲ့သည်။နည်းလမ်းနှစ်ခုစလုံးသည် ကိန်းဂဏန်းအချက်အလက်ကို တိကျမှုနည်းသော၊ အထူးသဖြင့် XRD ပေးပါသည်။ထို့အပြင်၊ နည်းလမ်းနှစ်ခုသည် XRD သည် အစုလိုက်နည်းလမ်းဖြစ်သောကြောင့် XPS သည် နာနိုမီတာအနည်းငယ်သာ ချဉ်းကပ်သည့် မျက်နှာပြင်နည်းလမ်းဖြစ်သောကြောင့်၊O 1s spectrum သည် 533 (22.2%) နှင့် 530.4 eV (77.8%) တွင် အထွတ်အထိပ်နှစ်ခုသို့ ကွဲသွားသည်။ပထမတစ်ခုသည် OH နှင့် သက်ဆိုင်ပြီး၊ ဒုတိယမှာ WO ရှိ ရာဇမတ်ကွက်အတွင်းရှိ အောက်ဆီဂျင်နှောင်ကြိုးများဖြစ်သည်။OH လုပ်ဆောင်နိုင်သော အုပ်စုများ ပါဝင်မှုသည် HWO ၏ ရေဓာတ်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
FTIR ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုကိုလည်း ဤနမူနာနှစ်ခုတွင် လုပ်ဆောင်နိုင်သော အဖွဲ့များ၏ ပါဝင်မှုနှင့် hydrated HWO ဖွဲ့စည်းပုံရှိ ရေမော်လီကျူးများ ပါဝင်မှုကို စစ်ဆေးရန်လည်း လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ရလဒ်များက HWO-50% C76 နမူနာနှင့် FT-IR HWO ရလဒ်များသည် HWO ပါ၀င်ခြင်းကြောင့် တူညီကြောင်းပြသသော်လည်း ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာရန်အတွက် ပြင်ဆင်မှုပြုလုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည့်နမူနာပမာဏ မတူညီသောကြောင့် အထွတ်အထိပ်များ၏ပြင်းထန်မှုကွဲပြားသည် (ပုံ 5a၊ )HWO-50% C76 တင်းစတင်အောက်ဆိုဒ်တောင်ထိပ်မှလွဲ၍ fullerene 24 တောင်အားလုံးကို ပြသထားသည်။ပုံတွင်အသေးစိတ်ဖော်ပြထားသည်။5a မှ နမူနာနှစ်ခုလုံးသည် HWO ရာဇမတ်ကွက်ဖွဲ့စည်းပုံရှိ OWO ဆွဲဆန့်တုန်ခါမှုများကြောင့်ဖြစ်ပြီး၊ WO ဟုသတ်မှတ်ထားသော ~840/cm တွင် ခိုင်ခံ့သောပခုံးအား ~710/cm တွင်ပြသထားကြောင်း 5a မှပြသသည်။~1610/cm တွင်ချွန်ထက်သောကြိုးသည် OH ၏ကွေးညွတ်တုန်ခါမှုနှင့်ဆက်စပ်နေပြီး ~ 3400/cm တွင်ကျယ်ပြန့်သောစုပ်ယူမှုလှိုင်းသည် ဟိုက်ဒရောနစ်အုပ်စု 43 ရှိ OH ၏ဆန့်ထွက်တုန်ခါမှုနှင့်ဆက်စပ်နေသည်။ဤရလဒ်များသည် ပုံ 4b ရှိ XPS spectrum နှင့် ကိုက်ညီပြီး၊ WO functional group သည် VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုအတွက် တက်ကြွသောဆိုဒ်များကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။
HWO နှင့် HWO-50% C76 ၏ FTIR ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု (က) လုပ်ငန်းဆိုင်ရာအုပ်စုများနှင့် အဆက်အသွယ်ထောင့်တိုင်းတာခြင်းများကိုပြသခြင်း (ခ၊ ဂ)။
OH အုပ်စုသည် VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုကိုလည်း ဓာတ်ကူပြုနိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် electrode ၏ hydrophilicity ကိုတိုးမြင့်စေပြီး ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းမှုနှုန်းကို မြှင့်တင်ပေးသည်။HWO-50% C76 နမူနာသည် ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း နောက်ထပ် C76 အထွတ်အထိပ်ကို ပြသသည်။~2905၊ 2375၊ 1705၊ 1607 နှင့် 1445 cm3 ရှိ တောင်ထွတ်များကို CH၊ O=C=O၊ C=O၊ C=C နှင့် CO stretching vibrations အသီးသီးတွင် သတ်မှတ်ပေးနိုင်ပါသည်။အောက်ဆီဂျင်လုပ်ဆောင်နိုင်သော အုပ်စု C=O နှင့် CO တို့သည် vanadium ၏ redox တုံ့ပြန်မှုများအတွက် တက်ကြွသောစင်တာများအဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်ကို ကောင်းစွာသိရှိထားသည်။လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှစ်ခု၏ စိုစွတ်မှုကို စမ်းသပ်ရန်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ရန်၊ အဆက်အသွယ်ထောင့် တိုင်းတာခြင်းကို ပုံ 5b၊ c တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း အသုံးပြုခဲ့သည်။HWO လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် ရရှိနိုင်သော OH လုပ်ဆောင်မှုအုပ်စုများကြောင့် superhydrophilicity ကိုဖော်ပြသော ရေစက်များကို ချက်ချင်းစုပ်ယူပါသည်။HWO-50% C76 သည် 10 စက္ကန့်အကြာတွင် 135° ခန့်ရှိသော contact angle ဖြင့် ပို၍ hydrophobic ဖြစ်သည်။သို့သော်၊ လျှပ်စစ်ဓာတုတိုင်းတာမှုများတွင်၊ HWO-50%C76 လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် တစ်မိနစ်အတွင်း လုံးဝစိုစွတ်နေပါသည်။စိုစွတ်မှု တိုင်းတာခြင်းများသည် XPS နှင့် FTIR ရလဒ်များနှင့် ကိုက်ညီပြီး HWO မျက်နှာပြင်ရှိ OH အုပ်စုများသည် ၎င်းအား ရေဓာတ်ပိုမိုရရှိစေသည်ဟု အကြံပြုထားသည်။
HWO နှင့် HWO-C76 nanocomposites များ၏ VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုများကို စမ်းသပ်ခဲ့ပြီး HWO သည် အက်ဆစ်ရောစပ်ထားသော VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုများအတွင်း ဖြစ်ပေါ်သည့် ကလိုရင်းဓာတ်ငွေ့များ၏ ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်ကို တားဆီးနိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရပြီး C76 သည် လိုချင်သော VO2+/ VO2+ ကို ထပ်မံဓာတ်ပြုပေးမည်ဖြစ်သည်။10%, 30% နှင့် 50% C76 ပါဝင်သော HWO ဆိုင်းထိန်းများကို UCC လျှပ်ကူးပစ္စည်းတွင် စုစုပေါင်း ဝန် 2 mg/cm2 ခန့် သက်ရောက်သည်။
ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း။6၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်း မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှု၏ kinetics ကို အက်ဆစ်ဓာတ် ရောစပ်ထားသော အီလက်ထရောနစ်ဖြင့် CV ကို အသုံးပြု၍ စစ်ဆေးခဲ့သည်။ΔEp နှင့် Ipa/Ipc တို့ကို နှိုင်းယှဉ်ရာတွင် အဆင်ပြေချောမွေ့စေရန်အတွက် Current များကို I/Ipa အဖြစ် ပြထားသည်။ဓာတ်ကူပစ္စည်းအမျိုးမျိုးကို ပုံမှ တိုက်ရိုက်ရယူသည်။လက်ရှိဧရိယာယူနစ်ဒေတာကို ပုံ 2S တွင် ပြထားသည်။သဖန်းသီးပေါ်မှာ။ပုံ 6a တွင် HWO သည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ VO2+/VO2+ redox တုံ့ပြန်မှု၏ အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းနှုန်းကို အနည်းငယ်တိုးစေပြီး ကပ်ပါးကလိုရင်းဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်၏ တုံ့ပြန်မှုကို တားဆီးထားသည်။သို့သော်လည်း C76 သည် အီလက်ထရွန် ကူးပြောင်းမှုနှုန်းကို သိသိသာသာ တိုးစေပြီး ကလိုရင်းဆင့်ကဲဖြစ်စဉ် တုံ့ပြန်မှုကို လှုံ့ဆော်ပေးသည်။ထို့ကြောင့် HWO နှင့် C76 ၏ မှန်ကန်သောဖွဲ့စည်းမှုရှိသော ရှုပ်ထွေးမှုသည် အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်မှုနှင့် ကလိုရင်းတုံ့ပြန်မှုကို ဟန့်တားနိုင်သည့် အမြင့်ဆုံးစွမ်းရည်ရှိသင့်သည်။C76 ပါဝင်မှုကို တိုးမြှင့်ပြီးနောက်၊ ΔEp ကျဆင်းခြင်းနှင့် Ipa/Ipc အချိုး (ဇယား S3) တိုးလာခြင်းတို့ကြောင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ လျှပ်စစ်ဓာတ်ဆိုင်ရာ လုပ်ဆောင်ချက် တိုးတက်လာကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့သည်။Fig. 6d (table S3) ရှိ Nyquist ကွက်မှ ထုတ်နုတ်ထားသော RCT တန်ဖိုးများကို C76 ၏ တိုးများလာသော အကြောင်းအရာဖြင့် RCT တန်ဖိုးများ ကျဆင်းသွားသည်ကို တွေ့ရှိခဲ့သည်။ဤရလဒ်များသည် VO2+/VO2+35 ရှိ အားသွင်းလွှဲပြောင်းမှု kinetics ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည့် mesoporous carbon မှ mesoporous WO3 သို့ ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် Lee ၏ လေ့လာမှုနှင့်လည်း ကိုက်ညီပါသည်။၎င်းသည် အပြုသဘောဆောင်သော တုံ့ပြန်မှုသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်း (C=C နှောင်ကြိုး) 18,24,35,36,37 ပေါ်တွင် ပိုမိုမူတည်နိုင်ကြောင်း အကြံပြုထားသည်။[VO(H2O)5]2+ နှင့် [VO2(H2O)4]+ အကြား ညှိနှိုင်းဂျီသြမေတြီပြောင်းလဲမှုကြောင့် C76 သည် တစ်သျှူးစွမ်းအင်ကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် တုံ့ပြန်မှုလွန်ကဲမှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။သို့သော် HWO လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြင့် ၎င်းသည် မဖြစ်နိုင်ပါ။
(က) 0.1 M VOSO4/1 M H2SO4 + 1 M HCl အီလက်ထရွန်း (ν = 5 mV/s တွင်) တွင် မတူညီသော HWO:C76 အချိုးများဖြင့် UCC နှင့် HWO-C76 ပေါင်းစပ်ထားသော လည်ပတ်ဗို့ဗို့မက်ထရစ်အပြုအမူ။(ခ) Randles-Sevchik နှင့် (ဂ) Nicholson ၏ VO2+/VO2+ နည်းလမ်းသည် ပျံ့နှံ့မှု ထိရောက်မှုကို ခန့်မှန်းခြင်းနှင့် k0 တန်ဖိုးများ ရရှိခြင်း (ဃ)။
HWO-50% C76 သည် VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုအတွက် C76 ကဲ့သို့တူညီသော electrocatalytic လှုပ်ရှားမှုကိုပြသရုံသာမက၊ ပို၍စိတ်ဝင်စားစရာကောင်းသည်မှာ၊ ၎င်းသည် ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း C76 နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက ကလိုရင်းဓာတ်ငွေ့၏ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်ကို တားဆီးပေးပါသည်။6a၊ သင်္ဘောသဖန်းသီးတွင် သေးငယ်သော စက်ဝိုင်းခြမ်းကို ပြသသည့်အပြင်၊6g (အောက် RCT)။C76 သည် HWO-50% C76 (Table S3) ထက် ပိုမိုထင်ရှားသော Ipa/Ipc ကို ပြသခဲ့သည်၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော တုံ့ပြန်မှုနောက်ပြန်လှည့်မှုကြောင့်မဟုတ်ဘဲ SHE နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 1.2 V တွင် ကလိုရင်းလျှော့ချရေးအထွတ်အထိပ်နှင့် ထပ်နေသောကြောင့်ဖြစ်သည်။HWO-50% C76 ၏ အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ကို အနုတ်လက္ခဏာဖြင့် လျှပ်ကူးနိုင်သော C76 နှင့် HWO ရှိ W-OH ၏ မြင့်မားသော စိုစွတ်နိုင်စွမ်းနှင့် ဓာတ်ပြုလုပ်ဆောင်ချက်များအကြား ပေါင်းစပ်လုပ်ဆောင်မှုကြောင့်ဟု ယူဆပါသည်။ကလိုရင်းထုတ်လွှတ်မှုနည်းခြင်းသည် ဆဲလ်အပြည့်၏အားသွင်းမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေသော်လည်း ပိုမိုကောင်းမွန်သော kinetics သည် ဆဲလ်ပြည့်ဗို့အား၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးမြင့်စေသည်။
ညီမျှခြင်း S1 အရ၊ တစ်ပိုင်းပြန်ပြန်လှန်နိုင်သော (အတော်လေးနှေးကွေးသော အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းမှု) တုံ့ပြန်မှုအတွက်၊ အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်း (IP) သည် အီလက်ထရွန်အရေအတွက် (n)၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းဧရိယာ (A)၊ ပျံ့နှံ့မှုကိန်းဂဏန်း (D) ပေါ်တွင်မူတည်သည်။ အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်း coefficient (α) နှင့် scanning speed (ν)စမ်းသပ်ထားသော ပစ္စည်းများ၏ ပျံ့နှံ့မှု ထိန်းချုပ်ထားသော အပြုအမူကို လေ့လာရန်အတွက် IP နှင့် ν1/2 အကြား ဆက်စပ်မှုကို ပုံ- 6b တွင် ပုံဖော်ထားသည်။ပစ္စည်းအားလုံးသည် linear ဆက်နွယ်မှုကို ပြသသောကြောင့် တုံ့ပြန်မှုကို ပျံ့နှံ့ခြင်းဖြင့် ထိန်းချုပ်သည်။VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုသည် တစ်ပိုင်း-နောက်ပြန်လှည့်နိုင်သောဖြစ်သောကြောင့်၊ မျဉ်း၏လျှောစောက်သည် ပျံ့နှံ့မှုကိန်းဂဏန်းနှင့် α (equation S1) တန်ဖိုးအပေါ် မူတည်သည်။အဆက်မပြတ်ပျံ့နှံ့မှုကိန်းဂဏန်း (≈ 4 × 10–6 cm2/s) 52 ကြောင့်၊ မျဉ်းစောင်း၏ခြားနားချက်သည် α ၏ မတူညီသောတန်ဖိုးများကို တိုက်ရိုက်ဖော်ပြပြီး ထို့ကြောင့် C76 နှင့် HWO -50 တို့ဖြင့် အီလက်ထရွန်မျက်နှာပြင်သို့ အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းမှုနှုန်း ကွဲပြားသည်။ %C76၊ မတ်စောက်ဆုံး တောင်စောင်းများ (အမြင့်ဆုံး အီလက်ထရွန် လွှဲပြောင်းမှုနှုန်း) ကို ပြသသည်။
ဇယား S3 (ပုံ. 6d) တွင်ပြသထားသည့် ကြိမ်နှုန်းနိမ့် Warburg တောင်စောင်းများ (W) သည် ပစ္စည်းအားလုံးအတွက် 1 နီးပါးတန်ဖိုးများရှိပြီး redox အမှုန်များ စုံလင်စွာပျံ့နှံ့မှုကို ညွှန်ပြပြီး CV အတွက် IP နှင့် ν1/2 ၏ linear အပြုအမူကို အတည်ပြုပေးပါသည်။တိုင်းတာမှုများHWO-50% C76 အတွက်၊ Warburg လျှောစောက်သည် စည်းလုံးမှုမှ 1.32 သို့ သွေဖည်သွားကာ လျှပ်ကူးပစ္စည်း porosity ကြောင့် တစ်ပိုင်းမကျန် ပျံ့နှံ့သွားသော ဓာတ်ပြုပစ္စည်း (VO2+) မှ ပံ့ပိုးကူညီမှုကို အကြံပြုသည်။
VO2+/VO2+ redox တုံ့ပြန်မှု၏ နောက်ပြန်လှည့်နိုင်မှု (အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းနှုန်း) ကို ထပ်မံခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာရန် Nicholson တစ်ပိုင်းပြန်ပြန်လှန်နိုင်သော တုံ့ပြန်မှုနည်းလမ်းကို စံနှုန်း ကိန်းသေ k041.42 ကို ဆုံးဖြတ်ရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုခဲ့သည်။၎င်းကို S2 ညီမျှခြင်းကို အသုံးပြု၍ ΔEp ၏ လုပ်ဆောင်ချက်တစ်ခုအဖြစ် dimensionless kinetic parameter Ψ ကို ကြံစည်ခြင်းဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။Table S4 သည် electrode ပစ္စည်းတစ်ခုစီအတွက် ရလဒ် Ψ တန်ဖိုးများကို ပြသသည်။ကွက်တစ်ခုစီ၏ slope အတွက် equation S3 ကို အသုံးပြု၍ အတန်းတစ်ခုစီ၏ဘေးတွင် ရေးထားသော k0 × 104 cm/s (အတန်းတစ်ခုစီ၏ဘေးတွင်ရေးပြီး ဇယား S4 တွင်တင်ပြသည်) ရရှိရန် ရလဒ်များ (ပုံ 6c) ကို ဆွဲချပါ။HWO-50% C76 သည် အမြင့်ဆုံး လျှောစောက် (ပုံ. 6c) ရှိပြီး ထို့ကြောင့် အမြင့်ဆုံး k0 တန်ဖိုးသည် 2.47 × 10–4 cm/s ဖြစ်သည်။ဆိုလိုသည်မှာ ဤလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် ပုံ 6a နှင့် d နှင့် Table S3 တွင် CV နှင့် EIS ရလဒ်များနှင့်အညီ အလျင်မြန်ဆုံး kinetics ကို ပေးဆောင်သည်။ထို့အပြင်၊ k0 တန်ဖိုးများကို RCT တန်ဖိုးများ (Table S3) ကို အသုံးပြု၍ Equation S4 ၏ Nyquist ကွက်များ (ပုံ 6d) မှလည်း ရယူခဲ့သည်။EIS မှ ဤ k0 ရလဒ်များကို ဇယား S4 တွင် အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြထားပြီး HWO-50% C76 သည် ပေါင်းစပ်အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့် အမြင့်ဆုံးအီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းမှုနှုန်းကိုပြသကြောင်းပြသသည်။နည်းလမ်းတစ်ခုစီ၏ ဇာစ်မြစ်ကွဲပြားမှုကြောင့် k0 ၏တန်ဖိုးသည် ကွဲပြားသော်လည်း၊ ၎င်းသည် တူညီသောအတိုင်းအတာ၏အတိုင်းအတာကိုပြသပြီး ညီညွတ်မှုကိုပြသသည်။
အောင်မြင်နိုင်သည့် အစွမ်းထက်သော kinetics ကို အပြည့်အဝနားလည်ရန်၊ အကောင်းဆုံးလျှပ်ကူးပစ္စည်းကို လျှပ်ကာမပါသော UCC နှင့် TCC လျှပ်ကူးပစ္စည်းတို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ရန် အရေးကြီးပါသည်။VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုအတွက်၊ HWO-C76 သည် အနိမ့်ဆုံး ΔEp နှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော နောက်ပြန်လှည့်နိုင်မှုကို ပြသရုံသာမက၊ OHA နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ကပ်ပါးကလိုရင်းဆင့်ကဲတုံ့ပြန်မှု တုံ့ပြန်မှုကို 1.45 V တွင် သိသာထင်ရှားစွာ လျှော့ချပေးသည် (ပုံ။ 7a)။တည်ငြိမ်မှုအရ၊ HWO-50% C76 သည် ဓာတ်ကူပစ္စည်းကို PVDF binder နှင့် ရောစပ်ပြီးနောက် ကာဗွန်အထည်လျှပ်ထရိုတွင် သက်ရောက်သောကြောင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်သည်ဟု ကျွန်ုပ်တို့ယူဆပါသည်။UCC အတွက် 50 mV နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက HWO-50% C76 သည် 150 လည်ပတ်ပြီးနောက် 44 mV (ပြိုကွဲမှုနှုန်း 0.29 mV/စက်ဝိုင်း) (ပုံ 7b) တွင် အထွတ်အထိပ်ပြောင်းလဲမှုကို ပြသခဲ့သည်။၎င်းသည် ကြီးမားသောကွာခြားချက်မဟုတ်နိုင်သော်လည်း UCC လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ kinetics သည် အလွန်နှေးကွေးပြီး အထူးသဖြင့် နောက်ပြန်တုံ့ပြန်မှုအတွက် စက်ဘီးစီးခြင်းဖြင့် ကျဆင်းသွားပါသည်။TCC ၏ နောက်ပြန်လှည့်မှုသည် UCC ထက် များစွာသာလွန်သော်လည်း၊ TCC သည် 150 ပတ်ပြီးနောက် 73 mV ၏ အထွတ်အထိပ်ပြောင်းရွေ့မှုတစ်ခုရှိသည်ကို တွေ့ရှိခဲ့ပြီး ယင်းမှာ ၎င်း၏မျက်နှာပြင်မှ ကလိုရင်းပမာဏများပြားခြင်းကြောင့် ဖြစ်နိုင်သည်။ဓာတ်ကူပစ္စည်းသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်း မျက်နှာပြင်နှင့် ကောင်းစွာ တွယ်ကပ်ကြောင်း သေချာစေရန်။စမ်းသပ်ထားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းအားလုံးတွင် တွေ့မြင်နိုင်သကဲ့သို့၊ ထောက်ကူပေးထားသော ဓာတ်ကူပစ္စည်းမပါသော သူများသည် စက်ဘီးစီးနေစဉ်အတွင်း အထွတ်အထိပ်ပိုင်းခြားခြင်းတွင် ပြောင်းလဲမှုများသည် ဓာတ်ကူပစ္စည်း ခွဲခြားခြင်းထက် ဓာတုပြောင်းလဲမှုကြောင့် ပစ္စည်းပျက်သွားခြင်းကြောင့်ဖြစ်ကြောင်း အကြံပြုထားသည်။ထို့အပြင်၊ အကယ်၍ ဓာတ်ကူပစ္စည်း အမှုန်အမွှားများ အများအပြားကို electrode မျက်နှာပြင်မှ ခွဲထုတ်ပါက၊ ၎င်းသည် VO2+/VO2+ အတွက် အငွေ့အသက်မရှိသောကြောင့် အထွတ်အထိပ်ခွဲထွက်ခြင်း (44 mV သာမဟုတ်) သိသာထင်ရှားစွာ တိုးလာနိုင်သည်။ redox တုံ့ပြန်မှု။
CCC နှင့်စပ်လျဉ်း၍ အကောင်းဆုံးလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ CV (a) နှင့် redox တုံ့ပြန်မှု တည်ငြိမ်မှု VO2+/VO2+ (b)။electrolyte 0.1 M VOSO4/1 M H2SO4 + 1 M HCl တွင်၊ CV များအားလုံးသည် ν = 5 mV/s နှင့် ညီမျှသည်။
VRFB နည်းပညာ၏ စီးပွားရေးဆွဲဆောင်မှုကို တိုးမြှင့်ရန်၊ မြင့်မားသော စွမ်းအင်ထိရောက်မှုရရှိရန်အတွက် vanadium redox တုံ့ပြန်မှု၏ kinetics ကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် နားလည်ရန်မှာ မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ပေါင်းစပ် HWO-C76 ကို ပြင်ဆင်ထားပြီး VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုအပေါ် ၎င်းတို့၏ electrocatalytic သက်ရောက်မှုကို လေ့လာခဲ့သည်။HWO သည် အရွေ့အပြောင်းကို အနည်းငယ်သာပြသခဲ့သော်လည်း အက်ဆစ်ဓာတ် ရောနှောထားသော အီလက်ထရောနစ်များတွင် ကလိုရင်းဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်ကို သိသိသာသာ ဖိနှိပ်ခဲ့သည်။HWO-based electrodes များ၏ kinetics များကို ပိုမို ကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ရန် HWO:C76 ၏ အမျိုးမျိုးသော အချိုးများကို အသုံးပြုခဲ့သည်။HWO-50% C76 သည် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် ပြုပြင်ထားသောလျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်ရှိ VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှု၏ အီလက်ထရွန်လွှဲပြောင်းခြင်းဆိုင်ရာ kinetics ကို တိုးမြင့်စေပြီး ၎င်းသည် HWO-50% C76 သည် အားသွင်းလွှဲပြောင်းမှုခုခံအားကို လျှော့ချပေးသောကြောင့် ၎င်းသည် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ C76နှင့် TCC ကိုထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။၎င်းသည် C=C sp2 hybridization၊ OH နှင့် W-OH လုပ်ဆောင်ချက်အုပ်စုများအကြား ပေါင်းစပ်အကျိုးသက်ရောက်မှုကြောင့်ဖြစ်သည်။HWO-50% C76 ၏ ပျက်စီးနှုန်းသည် စက်ဘီးအများအပြားဖြင့် 0.29mV/cycle တွင်ရှိပြီး UCC နှင့် TCC တို့သည် 0.33mV/cycle နှင့် 0.49mV/cycle အသီးသီးရှိသောကြောင့် ၎င်းကို ရောစပ်ထားသော အက်ဆစ်အီလက်ထရိုလစ်များတွင် အလွန်တည်ငြိမ်စေသည်။တင်ပြထားသော ရလဒ်များသည် VO2+/VO2+ တုံ့ပြန်မှုအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများကို အောင်မြင်စွာ ဖော်ထုတ်နိုင်သည် ။၎င်းသည် VRFB ၏ ပါဝါထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေခြင်းဖြင့် အထွက်ဗို့အားကို တိုးမြင့်စေပြီး ၎င်း၏အနာဂတ် စီးပွားဖြစ်ပြုလုပ်ခြင်း၏ ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်သည်။
လက်ရှိလေ့လာမှုတွင် အသုံးပြုထားသော နှင့်/သို့မဟုတ် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာထားသည့် ဒေတာအတွဲများကို သက်ဆိုင်ရာစာရေးဆရာများမှ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်စွာ တောင်းဆိုမှုဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။
Luderer G. et al.ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ကာဗွန်နည်းသော စွမ်းအင်ဆိုင်ရာ အခြေအနေများတွင် လေနှင့် နေစွမ်းအင်ကို ခန့်မှန်းခြင်း- နိဒါန်း။စွမ်းအင်စီးပွားရေး။၆၄၊ ၅၄၂-၅၅၁။https://doi.org/10.1016/j.eneco.2017.03.027 (2017)။
Lee၊ HJ၊ Park၊ S. နှင့် Kim၊ H. Vanadium manganese redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီများ၏စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် MnO2 အစစ်ခံခြင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလေ့လာခြင်း။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။165(5)၊ A952-A956။https://doi.org/10.1149/2.0881805jes (2018)။
Shah, AA, Tangirala, R., Singh, R., Wills, RGA နှင့် Walsh, All-vanadium redox စီးဆင်းဘက်ထရီအတွက် FK Dynamic ယူနစ်ဆဲလ်မော်ဒယ်။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။158(6)၊ A671။https://doi.org/10.1149/1.3561426 (2011)။
Gandomi၊ YA၊ Aaron၊ DS၊ Zawodzinski၊ TA နှင့် Mench၊ MM သည် all-vanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီအတွက် in-site ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော ဖြန့်ဖြူးမှုတိုင်းတာခြင်းနှင့် အတည်ပြုခြင်းပုံစံ။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။163(1), A5188-A5201။https://doi.org/10.1149/2.0211601jes (2016)။
Tsushima၊ S. နှင့် Suzuki၊ T. လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံကို ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ရန် interdigitated flux အကွက်နှင့်အတူ vanadium redox ဘက်ထရီကို မော်ဒယ်လ်နှင့် ပုံဖော်ခြင်း။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။167(2), 020553။ https://doi.org/10.1149/1945-7111/ab6dd0 (2020)။
Sun, B. နှင့် Skillas-Kazakos, M. Vanadium Redox ဘက်ထရီများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် Graphite Electrode ပစ္စည်းများ မွမ်းမံပြင်ဆင်ခြင်း – I. အပူကုသမှု။လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒ။Acta 37(7), 1253–1260။https://doi.org/10.1016/0013-4686(92)85064-R (1992)။
Liu, T., Li, S., Zhang, H., and Chen, J. သည် vanadium flow batteries (VFBs) တွင် ပါဝါသိပ်သည်းဆကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် လျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများတွင် တိုးတက်လာပါသည်။J. စွမ်းအင်ဓာတုဗေဒ။၂၇(၅)၊ ၁၂၉၂-၁၃၀၃။https://doi.org/10.1016/j.jechem.2018.07.003 (2018)။
Liu၊ QH et al။ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အမြှေးပါးရွေးချယ်မှုတို့ဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော vanadium redox စီးဆင်းမှုဆဲလ်။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။159(8)၊ A1246-A1252။https://doi.org/10.1149/2.051208jes (2012)။
Wei, G., Jia, K., Liu, J., and Yang, K. ပေါင်းစပ်ကာဗွန်နာနိုပြွန်ဓာတ်ကူလျှပ်လျှပ်များသည် vanadium redox ဘက်ထရီအသုံးအဆောင်များအတွက် ကာဗွန်ခံစားနိုင်သော အထောက်အကူဖြစ်သည်။J. ပါဝါထောက်ပံ့မှု။၂၂၀၊ ၁၈၅-၁၉၂။https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2012.07.081 (2012)။
Moon, S., Kwon, BV, Chang, Y., နှင့် Kwon, Y. သည် vanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီများ၏ စွမ်းဆောင်မှုအပေါ် အက်စစ်ဓာတ်ဖြည့် CNTs များပေါ်တွင် အပ်နှံထားသော bismuth sulfate ၏အကျိုးသက်ရောက်မှု။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။၁၆၆(၁၂)၊ A2602။https://doi.org/10.1149/2.1181912jes (2019)။
Huang, R.-H.စောင့်ပါvanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီအတွက် ပလက်တီနမ်/ဘက်စုံကာဗွန်နာနိုပြွန်များဖြင့် ပြုပြင်ထားသော သက်ဝင်လျှပ်ကူးပစ္စည်း။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။159(10), A1579။https://doi.org/10.1149/2.003210jes (2012)။
ဒါပေမယ့် S. et al.vanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီသည် organometallic scaffolds များမှရရှိသော နိုက်ထရိုဂျင်ဆေးထည့်ထားသော ကာဗွန်နာနိုပြွန်များဖြင့် အလှဆင်ထားသော electrocatalyst များကိုအသုံးပြုသည်။J. Electrochemistryလူ့အဖွဲ့အစည်း။၁၆၅(၇)၊ A၁၃၈၈။https://doi.org/10.1149/2.0621807jes (2018)။
Khan, P. et al.Vanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီအတွက် VO2+/ နှင့် V2+/V3+ redox စုံတွဲများအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တက်ကြွသောပစ္စည်းများအဖြစ် Graphene oxide nanosheets များ။ကာဗွန် ၄၉(၂)၊ ၆၉၃-၇၀၀။https://doi.org/10.1016/j.carbon.2010.10.022 (2011)။
Gonzalez, Z. et al.vanadium redox ဘက်ထရီများအတွက် ဂရပ်ဖင်း-မွမ်းမံထားသော ဂရပ်ဖိုက်၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဓာတုစွမ်းဆောင်မှု။J. ပါဝါထောက်ပံ့မှု။၃၃၈၊ ၁၅၅-၁၆၂။https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2016.10.069 (2017)။
González Z., Vizirianu S., Dinescu G., Blanco S. နှင့် Santamaria R. ကာဗွန်နာနိုဝေါလ်ရုပ်ရှင်များသည် vanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီများတွင် နာနိုဖွဲ့စည်းပုံလျှပ်ကူးပစ္စည်းပစ္စည်းများအဖြစ်၊နာနိုစွမ်းအင် ၁(၆)၊ ၈၃၃-၈၃၉။https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2012.07.003 (2012)။
Opar DO၊ Nankya R.၊ Lee J. နှင့် Yung H. စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် vanadium redox စီးဆင်းမှုဘက်ထရီများအတွက် သုံးဖက်မြင် ဂရပ်ဖင်း-မွမ်းမံထားသော mesoporous ကာဗွန်ခံစားမှု။လျှပ်စစ်ဓာတုဗေဒ။အက်ဥပဒေ ၃၃၀၊ ၁၃၅၂၇၆။ https://doi.org/10.1016/j.electacta.2019.135276 (2020)။
စာတိုက်အချိန်- ဖေဖော်ဝါရီ-၂၃-၂၀၂၃